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FOCO AMARILLO :TECNOLOGÍA SUSCEPTIBLE DE LIBRE USO
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Número de publicación(PN)
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WO2005093353 A1
Más información
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Fecha de publicación internacional
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2005-10-06
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Clasificaciones
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MC:
F 26 B 19/0
ICAA:
B 29 C 51/08 (2006.01)
B 29 C 51/14 (2006.01)
F 25 D 25/02 (2006.01)
ICAI:
F 26 B 19/00 (2006.01)
F 27 B 5/14 (2006.01)
F 27 D 11/00 (2006.01)
ICCA:
B 29 C 51/08 (2006.01)
B 29 C 51/14 (2006.01)
F 25 D 25/02 (2006.01)
ICCI:
F 26 B 19/00 (2006.01)
F 27 B 5/00 (2006.01)
F 27 D 11/00 (2006.01)
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Solicitantes
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RAMAMURTHY, Sundar
ADERHOLD, Wolfgang
APPLIED MATERIALS, INC.
HUNTER, Aaron
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Número de solicitud internacional (AN)
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PCT US 05004521
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Inventores (INV)
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RAMAMURTHY, Sundar
ADERHOLD, Wolfgang
HUNTER, Aaron
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Fecha de presentación internacional
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2005-02-14
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Prioridad (PR)
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US 10/788,979 2004-02-27
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Países designados (DS)
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AE AE AG AL AL AM AM AM AT AT AU AZ AZ BA BB BG BG BR BR BW BY BY BZ BZ CA CH CN CN CO CO CR CR CU CU CZ CZ DE DE DK DK DM DZ EC EC EE EE EG EG ES ES FI FI GB GD GE GE GH GM HR HR HU HU ID IL IN IS JP JP KE KE KG KG KP KP KP KR KR KZ KZ KZ LC LK LR LS LS LT LU LV MA MD MD MG MK MN MW MX MX MZ MZ NA NI NI NO NZ OM PG PH PH PL PL PT PT RO RU RU SC SD SE SG SK SK SL SL SM SY TJ TJ TM TM TN TR TR TT TT TZ UA UA UG UG US UZ UZ VC VN YU YU ZA ZM ZW BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG
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Título en inglés (ET)
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BACKSIDE RAPID THERMAL PROCESSING OF PATTERNED WAFERS
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Título en francés (FT)
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TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE PAR LE VERSO DES PLAQUETTES TRACEES
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Resumen en inglés (AB)
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A apparatus (60) and method of thermally treating a wafer (12) or other substrate, such as rapid thermal processing (RTP). An array (24) of radiant lamps (26) directs radiation to the back side of a wafer to heat the wafer. The front side of the wafer on which the patterned integrated circuits (16) are being formed faces a radiant reflector (28). The wafer is thermally monitored (40, 42) for temperature and reflectivity from the side of the reflector. When the lamps are above the wafer, an edge ring (64) supports the wafer in its edge exclusion zone (52). Alternatively (FIG.8), a reactor (100) includes upwardly directed lamps (26) and a reflector (28) above and facing the front side of the wafer.
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Resumen en francés (AF)
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Appareil (60) et procédé pour traitement thermique de plaquettes (12) ou autres substrats, notamment le traitement thermique rapide. Une rangée (24) de lampes à rayonnement (26) envoie un rayonnement sur le verso de la plaquette pour la chauffer. Le recto de la plaquette, qui porte le tracé des circuits intégrés, est tourné vers un réflecteur à rayonnement (28). Depuis la face du réflecteur, on effectue un suivi thermique (40, 42) de la plaquette concernant la température et la réflectivité. Lorsque les lampes sont au-dessus de la plaquette, la plaquette repose par son bord neutre (52) sur une couronne support (64). Selon un autre mode de réalisation (Fig. 8), un réacteur comporte des lampes tournées vers le haut (26) avec un réflecteur sur le dessus (28) tourné vers la face antérieure de la plaquette.
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